ISC037N12NM6ATMA1 vs IPTC054N15NM5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC037N12NM6ATMA1 bằng Infineon và IPTC054N15NM5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC037N12NM6ATMA1 - 120V 3.7mOhm N-Channel OptiMOS 6 | Infineon
ISC037N12NM6ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPTC054N15NM5ATMA1 - 150V 143A 5.4mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IPTC054N15NM5ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC037N12NM6ATMA1 | IPTC054N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Hộp | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (top-side cooled) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C (junction) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 (IPT family) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 17.5 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 143 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 250 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A | — | 5.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) typical | — | 58 nC |
| Forward Body Diode Voltage (VSD) | — | 0.83 V |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes |