ISC037N12NM6ATMA1 vs IPTC054N15NM5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC037N12NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPTC054N15NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC037N12NM6ATMA1 | IPTC054N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (top-side cooled) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 (IPT family) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 17.5 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 143 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 250 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A | — | 5.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) typical | — | 58 nC |
| Forward Body Diode Voltage (VSD) | — | 0.83 V |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes |