ISC037N12NM6ATMA1 vs IPTG025N15NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC037N12NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IPTG025N15NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC037N12NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 6 150 V (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (Vds) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 19.2 A —
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc 163 A —
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V 3.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 214 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Paket PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) PG-HSOG-8-1 (TOLG)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 26 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 264 A (pulsed)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 395 W
On-State Resistance RDS(on) typ — 2.5 mOhm at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Solder Joint Reliability — Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin