ISC045N03L5SATMA1 vs IGLR70R270D2SXUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC045N03L5SATMA1 tarafından Infineon ve IGLR70R270D2SXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC045N03L5SATMA1 | IGLR70R270D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC045N03L5SATMA1 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 / Trench | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 63 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V @ ID=250 µA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 870 pF @ VDS=15 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| Paket | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C | -40C to +150C (junction) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | CoolGaN™ G5 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 7.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 28 W |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | — | 270 mΩ |
| Gate Drive | — | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) |
| Wafer Process | — | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 0 nC (no body diode) |