ISC045N03L5SATMA1 vs IGLR70R270D2SXUMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC045N03L5SATMA1 bằng Infineon và IGLR70R270D2SXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC045N03L5SATMA1 - 30V 4.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
ISC045N03L5SATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC045N03L5SATMA1 | IGLR70R270D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC045N03L5SATMA1 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 / Trench | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 63 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V @ ID=250 µA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 870 pF @ VDS=15 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| Hộp | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +150 °C | -40C to +150C (junction) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | CoolGaN™ G5 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 7.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 28 W |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | — | 270 mΩ |
| Gate Drive | — | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) |
| Wafer Process | — | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 0 nC (no body diode) |