ISC046N13NM6ATMA1 vs IQD005N04NM6CGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC046N13NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IQD005N04NM6CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC046N13NM6ATMA1 | IQD005N04NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| Paket / Kas | PG-TDSON-8 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 6 (trench FET) |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| RDS(on) Typical | — | 0.5 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 610 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating] |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 333 W |
| Paket | — | PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²) |
| Pin Sayısı | — | 9 |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Source Configuration | — | Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking) |