ISC046N13NM6ATMA1 vs IQD005N04NM6CGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC046N13NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IQD005N04NM6CGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC046N13NM6ATMA1 | IQD005N04NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| العلبة / الحالة | PG-TDSON-8 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 6 (trench FET) |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| RDS(on) Typical | — | 0.5 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 610 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating] |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 333 W |
| العلبة | — | PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²) |
| عدد الأطراف | — | 9 |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Source Configuration | — | Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking) |