ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC046N13NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N04NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC046N13NM6ATMA1 | ISC015N04NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| Paket / Kas | PG-TDSON-8 | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Series | — | OptiMOS 5 40V Normal Level |
| FET Type | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.4 V (typ) |
| R_DS(on) max | — | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 206 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 115 W |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per Infineon SuperSO8 family) |
| Drive Level | — | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) |