ISC052N03LF2SATMA1 vs ISZ033N03LF2SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC052N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISZ033N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC052N03LF2SATMA1 | ISZ033N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 30V | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 74 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.2 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 52 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +150°C | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 20 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 109 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 71 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.35 V max @ 30 uA |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |