ISC060N10NM6ATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC060N10NM6ATMA1 tarafından Infineon ve BSC0906NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC060N10NM6ATMA1 BSC0906NSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 100 V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15 A 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 97 A 63 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typical) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +150C (junction, typical)
Paket PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (thin-wafer trench) OptiMOS
Polarity N-Channel —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Pin Sayısı — 8

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin