ISC060N10NM6ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC060N10NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC080N10NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC060N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 100 V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15 A 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 97 A 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typical) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W 100 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Paket PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (thin-wafer trench) —
Polarity N-Channel —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V at 36 µA
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin