ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUT165N08S5N029ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC151N08NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IAUT165N08S5N029ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC151N08NM6ATMA1 IAUT165N08S5N029ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (TA=25°C) 9.2 A —
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) 37 A —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
On-Resistance RDS(on) max 15.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Technology OptiMOS 6 —
Paket PG-TDSON-8 FL —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
Channel Mode Enhancement —
İşletim Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
RoHS Durumu Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IAUT165N08S5N029ATMA2
Product Family — OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) — 165 A
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) — 660 A
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) — 2.9 mΩ (typical)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) — 167 W
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) — 225 mJ
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C (T<sub>j</sub>)
Paket / Kas — PG-HSOF-8-1 (8+Tab, Surface Mount)
MSL Rating — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin