ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUT165N08S5N029ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC151N08NM6ATMA1 द्वारा Infineon और IAUT165N08S5N029ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUT165N08S5N029ATMA2 - 80V 165A 2.9mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon
IAUT165N08S5N029ATMA2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC151N08NM6ATMA1 | IAUT165N08S5N029ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8 FL | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 °C to +175 °C | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IAUT165N08S5N029ATMA2 |
| Product Family | — | OptiMOS™ 5 |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) | — | 165 A |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | — | 660 A |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) | — | 2.9 mΩ (typical) |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) | — | 167 W |
| Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) | — | 225 mJ |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +175 °C (T<sub>j</sub>) |
| पैकेज / केस | — | PG-HSOF-8-1 (8+Tab, Surface Mount) |
| MSL Rating | — | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| RoHS Compliance | — | Green Product (RoHS compliant) |
| Avalanche Tested | — | 100% Avalanche Tested |