ISCH99N04NM7VATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISCH99N04NM7VATMA1 tarafından Infineon ve IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | ISCH99N04NM7VATMA1 | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current at Ta (I_D) | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current at Tc (I_DM) | 284 A | — |
| Power Dissipation at Ta (P_D) | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc (P_D) | 150 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V_th) | Up to 3.2 V | — |
| Paket | PG-TDSON-8 (TDSON-8 FL) | PG-TTFN-9-3 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 7 Trench Power MOSFET | OptiMOS 7 (Trench-Gate) |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Target Application | 12 V to 48 V Motor Drives | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 422 A |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | — | 0.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | +175 degrees C |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 degrees C to +175 degrees C |
| Qualification | — | Industrial grade per Infineon datasheet |