ISZ028N03LF2SATMA1 vs ISC025N08NM5LF2ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ028N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC025N08NM5LF2ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISZ028N03LF2SATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 LF2
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Paket PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) PG-TDSON-8 FL (Surface Mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction, typical) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C — 23 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 198 A
On-Resistance (RDS(on)) Max — 2.55 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) Max — 3.9 V
Total Gate Charge (Qg) Max — 96 nC
Power Dissipation @ TA — 3 W
Power Dissipation @ TC — 217 W
Polarity — N-Channel
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel, 13-inch)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin