ISZ028N03LF2SATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ028N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISZ019N03L5SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V 2 V (typical)
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Paket PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction, typical) -55C to +175C (TJ max)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] 44 nC at VGS=10V
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin