ISZ028N03LF2SATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של ISZ028N03LF2SATMA1 מאת Infineon ו ISZ019N03L5SATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V 2 V (typical)
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
מארז PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (junction, typical) -55C to +175C (TJ max)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
סטטוס RoHS Compliant —
רמת MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] 44 nC at VGS=10V
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר