K4B4G1646D-BMK0 vs K4B4G1646D-BCK00 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BMK0 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646D-BCK00 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BCK00 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BCK00
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Density 4 Gb 4 Gb
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Speed Grade 1600 Mbps (PC3L-12800) DDR3-1600 (800 MHz)
Voltage 1.35 V —
İşletim Sıcaklığı -40°C to 95°C 0°C to 95°C (Tcase)
Paket 96FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Die Version D-die —
Lead-Free Yes Yes
Klorürsüz Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Number of Functions 1 —
Veri Hızı 1600 Mbps 1600 Mbps/pin
Besleme Gerilimi — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage — 1.35V
Number of Banks — 8
CAS Gecikme — 11 (at 1600 Mbps)
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
RoHS — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin