K4B4G1646D-BMK0 vs K4B4G1646D-BCK00 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BMK0 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BCK00 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BCK00 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BCK00
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Density 4 Gb 4 Gb
تنظیم 256M x 16 256M x 16
Speed Grade 1600 Mbps (PC3L-12800) DDR3-1600 (800 MHz)
Voltage 1.35 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40°C to 95°C 0°C to 95°C (Tcase)
پیکیج 96FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Die Version D-die —
Lead-Free Yes Yes
ہیلوجن فری Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Number of Functions 1 —
ڈیٹا ریٹ 1600 Mbps 1600 Mbps/pin
سپلائی وولٹیج — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage — 1.35V
Number of Banks — 8
CAS لیٹنسی — 11 (at 1600 Mbps)
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
RoHS — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں