K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16RE-125:D Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BYH9 tarafından Samsung Electronics ve MT41K256M16RE-125:D tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktifMicron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Veri Hızı | 1333 Mbps | 1600 MT/s |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V | 1.35 V |
| İşletim Sıcaklığı | 0 ~ 85 °C | 0C to +95C (TC) |
| Paket | 96FBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Gecikme | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Klorürsüz | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Bellek Türü | — | DDR3L SDRAM |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |