K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16RE-125:D השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BYH9 מאת Samsung Electronics ו MT41K256M16RE-125:D מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| קצב נתונים | 1333 Mbps | 1600 MT/s |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35 V |
| טמפרטורת פעולה | 0 ~ 85 °C | 0C to +95C (TC) |
| מארז | 96FBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| השהיית CAS | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| סוג זיכרון | — | DDR3L SDRAM |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |