K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16RE-125:D موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BYH9 بذریعہ Samsung Electronics اور MT41K256M16RE-125:D بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 1333 Mbps | 1600 MT/s |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0 ~ 85 °C | 0C to +95C (TC) |
| پیکیج | 96FBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS لیٹنسی | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| میموری ٹائپ | — | DDR3L SDRAM |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |