LM358AD vs LM358DR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma LM358AD tarafından STMicroelectronics ve LM358DR tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre LM358AD LM358DR
Marka STMicroelectronics Texas Instruments
Kategori Amplifier ICs Amplifier ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Amplifier Type General Purpose, Low Power General Purpose Operational Amplifier
Number of Channels 2 (Dual) —
Gain-Bandwidth Product (GBP) 1.1 MHz —
Slew Rate 0.6 V/µs 0.3 V/µs
Supply Voltage Range (Single) 3 V to 30 V —
Supply Voltage Range (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Input Offset Voltage [DATA_NEEDED: input offset voltage] 2 mV (typ), 7 mV (max)
Input Bias Current 45 nA (typical) —
Quiescent Current (per amplifier) 0.7 mA (typical) —
Input Common-Mode Range 0 V to VCC−1.5 V —
Output Voltage Swing [DATA_NEEDED: output swing to rail] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı 0 °C to +70 °C —
Paket 8-pin SOIC SOIC-8 (D)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (HBM, on inputs) —
Internal Frequency Compensation Yes —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Number of Circuits — 2
Gain Bandwidth Product — 700 kHz
Supply Voltage (Single) — 3 V to 32 V
Supply Voltage (Dual) — ±1.5 V to ±16 V
Supply Current (per channel) — 0.7 mA (typ)
Common-Mode Input Range — Extends to ground (V-)
Output Current — 20 mA (typ, short-circuit protected)
Minimum Load Resistance — 2 kΩ
İşletim Sıcaklığı — 0°C to +70°C
Internal Compensation — Yes (unity-gain stable)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin