M29F800FB55M3E2 vs M29F800FT55M3E2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FB55M3E2 tarafından Micron Technology ve M29F800FT55M3E2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F800FB55M3E2 M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F800FB55M3E2 M29F800FT55M3E2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs EEPROM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 8 Mbit (8389 kbits) 8389 kbits
Organizasyon 512K x 16 / 1M x 8 512K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Bottom boot block —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification AEC-Q100 (Auto Grade 125C) —
Paket 44-pin SO (SOP) 44-SO (SOP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Program / Erase Embedded byte/word program and erase controller —
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
RoHS Durumu Compliant (E suffix, RoHS-compliant package) Compliant (E suffix)
Standard Packing Tray —
Family M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash —
Bellek Boyutu — 8 Mbit
Arayüz — Parallel
Besleme Gerilimi — 5 V
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin