M29F800FB55M3E2 vs M29F800FT55M3E2 So sánh

So sánh chi tiết song song của M29F800FB55M3E2 bằng Micron Technology và M29F800FT55M3E2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29F800FB55M3E2 M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29F800FB55M3E2 M29F800FT55M3E2
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs EEPROM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 8 Mbit (8389 kbits) 8389 kbits
Tổ chức 512K x 16 / 1M x 8 512K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Bottom boot block —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification AEC-Q100 (Auto Grade 125C) —
Hộp 44-pin SO (SOP) 44-SO (SOP)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Program / Erase Embedded byte/word program and erase controller —
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
Trạng thái RoHS Compliant (E suffix, RoHS-compliant package) Compliant (E suffix)
Standard Packing Tray —
Family M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash —
Kích thước bộ nhớ — 8 Mbit
Giao diện — Parallel
Điện áp cung cấp — 5 V
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá