M29F800FB55M3E2 vs M29F800FT55M3E2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F800FB55M3E2 توسط Micron Technology و M29F800FT55M3E2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F800FB55M3E2 M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F800FB55M3E2 M29F800FT55M3E2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs EEPROM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 8 Mbit (8389 kbits) 8389 kbits
سازمان 512K x 16 / 1M x 8 512K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Bottom boot block —
دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification AEC-Q100 (Auto Grade 125C) —
بسته‌بندی 44-pin SO (SOP) 44-SO (SOP)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Program / Erase Embedded byte/word program and erase controller —
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
وضعیت RoHS Compliant (E suffix, RoHS-compliant package) Compliant (E suffix)
Standard Packing Tray —
Family M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash —
اندازه حافظه — 8 Mbit
رابط — Parallel
ولتاژ تغذیه — 5 V
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت