M29F800FB55M3E2 vs M29F800FT55M3E2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F800FB55M3E2 מאת Micron Technology ו M29F800FT55M3E2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29F800FB55M3E2 M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 ✓ פעיל
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29F800FB55M3E2 M29F800FT55M3E2
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs EEPROM
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 8 Mbit (8389 kbits) 8389 kbits
ארגון 512K x 16 / 1M x 8 512K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Bottom boot block —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification AEC-Q100 (Auto Grade 125C) —
מארז 44-pin SO (SOP) 44-SO (SOP)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Program / Erase Embedded byte/word program and erase controller —
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
סטטוס RoHS Compliant (E suffix, RoHS-compliant package) Compliant (E suffix)
Standard Packing Tray —
Family M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash —
גודל זיכרון — 8 Mbit
ממשק — Parallel
מתח אספקה — 5 V
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר