M29F800FT55M3E2 vs M29F800FB55M3F2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FT55M3E2 tarafından Micron Technology ve M29F800FB55M3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F800FT55M3E2 M29F800FB55M3F2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori EEPROM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash NOR Flash, Parallel
Bellek Boyutu 8 Mbit —
Organizasyon 512K x 16 bit 512K x 16-bit / 1M x 8-bit
Arayüz Parallel Parallel, Asynchronous
Access Time 55 ns 55 ns
Besleme Gerilimi 5 V —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
Paket 44-SO (SOP) 44-pin SO (SOIC-44)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density 8389 kbits 8389 kbits (8 Mbit)
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Type — Bottom Boot Block
Programming — Embedded byte/word program algorithms
OTP Area — 64 byte
Automotive Qualification — Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C)
Packing — Tape & Reel (T/R)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin