M29F800FT55M3E2 vs M29F800FB55M3F2 So sánh

So sánh chi tiết song song của M29F800FT55M3E2 bằng Micron Technology và M29F800FB55M3F2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29F800FT55M3E2 M29F800FB55M3F2
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục EEPROM Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash NOR Flash, Parallel
Kích thước bộ nhớ 8 Mbit —
Tổ chức 512K x 16 bit 512K x 16-bit / 1M x 8-bit
Giao diện Parallel Parallel, Asynchronous
Access Time 55 ns 55 ns
Điện áp cung cấp 5 V —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
Hộp 44-SO (SOP) 44-pin SO (SOIC-44)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density 8389 kbits 8389 kbits (8 Mbit)
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Type — Bottom Boot Block
Programming — Embedded byte/word program algorithms
OTP Area — 64 byte
Automotive Qualification — Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C)
Packing — Tape & Reel (T/R)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá