M29F800FT55M3E2 vs M29F800FB55M3F2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F800FT55M3E2 توسط Micron Technology و M29F800FB55M3F2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F800FT55M3E2 M29F800FB55M3F2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی EEPROM Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash NOR Flash, Parallel
اندازه حافظه 8 Mbit —
سازمان 512K x 16 bit 512K x 16-bit / 1M x 8-bit
رابط Parallel Parallel, Asynchronous
Access Time 55 ns 55 ns
ولتاژ تغذیه 5 V —
دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
بسته‌بندی 44-SO (SOP) 44-pin SO (SOIC-44)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density 8389 kbits 8389 kbits (8 Mbit)
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Type — Bottom Boot Block
Programming — Embedded byte/word program algorithms
OTP Area — 64 byte
Automotive Qualification — Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C)
Packing — Tape & Reel (T/R)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت