M29F800FT55M3E2 vs M29F800FB55M3F2 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار M29F800FT55M3E2 توسط Micron Technology و M29F800FB55M3F2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron
M29F800FT55M3E2 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | M29F800FT55M3E2 | M29F800FB55M3F2 |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دستهبندی | EEPROM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| اندازه حافظه | 8 Mbit | — |
| سازمان | 512K x 16 bit | 512K x 16-bit / 1M x 8-bit |
| رابط | Parallel | Parallel, Asynchronous |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| ولتاژ تغذیه | 5 V | — |
| دمای کاری | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Boot Block Location | Top boot block | — |
| Program/Erase Cycles | 100,000 per block | — |
| Program Algorithm | Embedded byte/word program | — |
| Erase Features | Erase suspend and resume | — |
| Standby Mode | Automatic standby, low power | — |
| Identification | Electronic signature | — |
| بستهبندی | 44-SO (SOP) | 44-pin SO (SOIC-44) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | Compliant (E suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | 8389 kbits | 8389 kbits (8 Mbit) |
| Number of Words | — | 512 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Boot Block Type | — | Bottom Boot Block |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithms |
| OTP Area | — | 64 byte |
| Automotive Qualification | — | Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |