M29F800FT55M3E2 vs M29F800FB55N3F2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FT55M3E2 tarafından Micron Technology ve M29F800FB55N3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F800FT55M3E2 M29F800FB55N3F2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori EEPROM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash —
Bellek Boyutu 8 Mbit —
Organizasyon 512K x 16 bit 1M x 8 / 512K x 16
Arayüz Parallel —
Access Time 55 ns 55 ns
Besleme Gerilimi 5 V 5 V
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
Paket 44-SO (SOP) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant (E suffix) Compliant (lead-free terminations)
Density 8389 kbits —
Memory Density — 8389 kbits (8 Mbit)
Arayüz Türü — Parallel NOR
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Package Type — 48-pin TSOP1
Package Shape — Rectangular (JESD designation TSOP1)
Terminal Count — 48
JESD-609 Termination Code — e3 (lead-free)
Packaging — Tape & Reel (T/R)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin