M29W320DB70N3F vs M29W640GB70N3E Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W320DB70N3F tarafından Micron Technology ve M29W640GB70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | M29W320DB70N3F | M29W640GB70N3E |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Flash | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | NOR Flash | NOR Flash |
| Technology | Parallel NOR Flash | — |
| Density | 32 Mbit (33554 kbits) | 64 Mbit (8 MByte) |
| Organizasyon | 2 M x 16 | 4M x16 / 8M x8 |
| Bus Width | x8/x16 selectable | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 3.0 V to 3.6 V | — |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V | — |
| Block Organization | Non-uniform parameter blocks, boot block (DB = bottom boot block) | — |
| İşletim Sıcaklığı | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Paket | 48-TSOP I, 12 x 20 mm | 48-TSOP I |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Arayüz | Parallel | Parallel, asynchronous |
| RoHS Durumu | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging Variant (TR) | Tape & Reel available (M29W320DB70N3F TR) | — |
| Besleme Gerilimi | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Boot Block | — | Bottom boot block (GB) |
| Programming | — | Word/Byte program, block erase |
| Command Set | — | M29W family standard command set |
| Chipset Validation | — | N/A |
| FBGA Code | — | N/A |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |