M29W320DB70N3F vs M29W640GB70N3E השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W320DB70N3F מאת Micron Technology ו M29W640GB70N3E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | M29W320DB70N3F | M29W640GB70N3E |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | Flash | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | NOR Flash | NOR Flash |
| Technology | Parallel NOR Flash | — |
| Density | 32 Mbit (33554 kbits) | 64 Mbit (8 MByte) |
| ארגון | 2 M x 16 | 4M x16 / 8M x8 |
| Bus Width | x8/x16 selectable | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 3.0 V to 3.6 V | — |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V | — |
| Block Organization | Non-uniform parameter blocks, boot block (DB = bottom boot block) | — |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +125C | -40C to +125C |
| מארז | 48-TSOP I, 12 x 20 mm | 48-TSOP I |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | Parallel | Parallel, asynchronous |
| סטטוס RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging Variant (TR) | Tape & Reel available (M29W320DB70N3F TR) | — |
| מתח אספקה | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Boot Block | — | Bottom boot block (GB) |
| Programming | — | Word/Byte program, block erase |
| Command Set | — | M29W family standard command set |
| Chipset Validation | — | N/A |
| FBGA Code | — | N/A |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |