MT40A512M16TD-062E AUT:R vs K4A4G165WG-BCWE Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT40A512M16TD-062E AUT:R tarafından Micron Technology ve K4A4G165WG-BCWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron
MT40A512M16TD-062E AUT:R ✓ AktifSamsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A4G165WG-BCWE ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | MT40A512M16TD-062E AUT:R | K4A4G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $16,90 |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Bellek Boyutu | 8 Gbit | 4 Gbit |
| Organizasyon | 512M x 16 | — |
| Arayüz | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency / Data Rate | 1.6 GHz | — |
| Access Time | 19 ns | 19 ns |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2 V |
| Paket | 96-FBGA (7.5 x 13 mm) | FBGA-96 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (AUT grade) | — |
| Packaging Suffix | -R (Tape & Reel) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| Technology Family | DDR4 SDRAM (SDR/DDR family) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval spec] | [DATA_NEEDED: refresh interval] |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Veri Hızı | — | 3200 Mbps |
| İşletim Sıcaklığı | — | 0C to +85C |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR4 |
| Product Status | — | Active |
| RoHS Durumu | — | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |