MT40A512M16TD-062E AUT:R vs K4A4G165WG-BCWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M16TD-062E AUT:R توسط Micron Technology و K4A4G165WG-BCWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron
MT40A512M16TD-062E AUT:R ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | MT40A512M16TD-062E AUT:R | K4A4G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $16.90 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | 4 Gbit |
| سازمان | 512M x 16 | — |
| رابط | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency / Data Rate | 1.6 GHz | — |
| Access Time | 19 ns | 19 ns |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (7.5 x 13 mm) | FBGA-96 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (AUT grade) | — |
| Packaging Suffix | -R (Tape & Reel) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| Technology Family | DDR4 SDRAM (SDR/DDR family) | — |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval spec] | [DATA_NEEDED: refresh interval] |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| نرخ داده | — | 3200 Mbps |
| دمای کاری | — | 0C to +85C |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR4 |
| Product Status | — | Active |
| وضعیت RoHS | — | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |