MT40A512M16TD-062E AUT:R vs K4A4G165WG-BCWE موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A512M16TD-062E AUT:R بذریعہ Micron Technology اور K4A4G165WG-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
MT40A512M16TD-062E AUT:R MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron

MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron

MT40A512M16TD-062E AUT:R ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MT40A512M16TD-062E AUT:R K4A4G165WG-BCWE
برانڈ Micron Technology Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $16.90
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
میموری سائز 8 Gbit 4 Gbit
تنظیم 512M x 16 —
انٹرفیس Parallel Parallel
Clock Frequency / Data Rate 1.6 GHz —
Access Time 19 ns 19 ns
سپلائی وولٹیج 1.2 V 1.2 V
پیکیج 96-FBGA (7.5 x 13 mm) FBGA-96
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 (AUT grade) —
Packaging Suffix -R (Tape & Reel) —
Speed Grade -062E —
Technology Family DDR4 SDRAM (SDR/DDR family) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval spec] [DATA_NEEDED: refresh interval]
Memory Organization — 256M x 16
ڈیٹا ریٹ — 3200 Mbps
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0C to +85C
Memory Format — DRAM
Technology — DDR4
Product Status — Active
RoHS اسٹیٹس — Compliant (per JLCPCB listing)
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range]
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CAS latency]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں