MT41K256M16RE-125:D vs K4B4G1646D-BYH9 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT41K256M16RE-125:D tarafından Micron Technology ve K4B4G1646D-BYH9 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AktifSamsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | MT41K256M16RE-125:D | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V | 1.35 V |
| Veri Hızı | 1600 MT/s | 1333 Mbps |
| CAS Gecikme | 11 | Programmable |
| Paket | FBGA-96 (9x14 mm) | 96FBGA |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +95C (TC) | 0 ~ 85 °C |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |