MT41K256M16RE-125:D vs K4B4G1646D-BYH9 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT41K256M16RE-125:D بذریعہ Micron Technology اور K4B4G1646D-BYH9 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT41K256M16RE-125:D | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 MT/s | 1333 Mbps |
| CAS لیٹنسی | 11 | Programmable |
| پیکیج | FBGA-96 (9x14 mm) | 96FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C (TC) | 0 ~ 85 °C |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |