NT5CC256M16DP-DI vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NT5CC256M16DP-DI tarafından Nanya Technology ve MT40A512M16JY-07EAIT:B tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ Aktif
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre NT5CC256M16DP-DI MT40A512M16JY-07EAIT:B
Marka Nanya Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4Gb —
Organizasyon 256M x 16 512M x 16
Besleme Gerilimi 1.35V —
Veri Hızı 1600 Mbps/pin (800MHz) 2666 MT/s
Paket VFBGA-96 96-FBGA (8x14)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40°C to +95°C (industrial) -40°C to +105°C (AIT grade)
CAS Gecikme 11, 12, 13 (programmable) —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Number of Banks 8 —
Arayüz Differential clock (CK, CK#) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Bellek Boyutu — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin