NT5CC256M16DP-DI vs MT40A512M16JY-07EAIT:B 比較
詳細並排比較 NT5CC256M16DP-DI 由 Nanya Technology 與 MT40A512M16JY-07EAIT:B 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | NT5CC256M16DP-DI | MT40A512M16JY-07EAIT:B |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | Micron Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| 組織 | 256M x 16 | 512M x 16 |
| 供應電壓 | 1.35V | — |
| 資料速率 | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 2666 MT/s |
| 封裝 | VFBGA-96 | 96-FBGA (8x14) |
| 工作溫度範圍 | -40°C to +95°C (industrial) | -40°C to +105°C (AIT grade) |
| CAS 延遲 | 11, 12, 13 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| 介面 | Differential clock (CK, CK#) | Parallel |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| 記憶體容量 | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| AEC-Q100 | — | Qualified (AIT suffix) |