2N7002L vs 2N7002-7-F موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2N7002L بذریعہ onsemi اور 2N7002-7-F بذریعہ Diodes Incorporated. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Diodes Incorporated
2N7002-7-F 2N7002-7-F - 60V N-Ch Enhancement MOSFET SOT-23 | Diodes Incorporated

2N7002-7-F - 60V N-Ch Enhancement MOSFET SOT-23 | Diodes Incorporated

2N7002-7-F ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2N7002L 2N7002-7-F
برانڈ onsemi Diodes Incorporated
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max —
Technology High cell density trench MOSFET Trench MOSFET
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج SOT-23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (TO-236)
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Drain-Source Voltage (VDS max) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 115 mA
Continuous Drain Current Range (per Mouser listing) — 105 mA to 210 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 370 mW
On-Resistance RDS(on) — 7.5 ohm to 13.5 ohm
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: Tj / TA operating range]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge typical]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Terminal Finish — Matte tin (solderable per MIL-STD-202, method 208)
Channel Mode — Enhancement

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں