AFT26HW050GSR3 vs AFT26H050W26SR3 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از AFT26HW050GSR3 بذریعہ NXP Semiconductors اور AFT26H050W26SR3 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
NXP Semiconductors
AFT26HW050GSR3 - 9W RF Power LDMOS 2.5-2.7GHz Doherty | NXP
AFT26HW050GSR3 ✓ فعالNXP Semiconductors
AFT26H050W26SR3 - 9W RF LDMOS Transistor 2.5-2.7 GHz | NXP
AFT26H050W26SR3 Obsoleteخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | AFT26HW050GSR3 | AFT26H050W26SR3 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | Obsolete |
| Part Number | AFT26HW050GSR3 | — |
| Manufacturer | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Device Type | RF Power MOSFET (LDMOS), N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Family | Airfast RF Power | — |
| پیکیج / کیس | NI-780GS-4L4L (9-pin, ceramic) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Chassis Mount (bolt-down, flange) | Surface Mount / chassis-mount screw flange |
| Operating Frequency | 2496 MHz to 2690 MHz | — |
| Typical Drain-Source Voltage (Vds) | 28 V | — |
| Maximum Drain-Source Voltage | 65 V | 65 V |
| Output Power (P1dB / Avg) | 9 W average (Doherty) | — |
| Power Gain (Gp) | 14.2 dB at 2.69 GHz | — |
| Test Condition Gain | 14.2 dB @ 2.69 GHz | — |
| Test Condition Frequency | 2.496 GHz to 2.69 GHz | — |
| Quiescent Current (Iq) | 100 mA | — |
| Configuration | Single transistor, internally input-matched | Single, Asymmetrical Doherty |
| Architecture | Asymmetric Doherty (paired carrier/peaking) | — |
| Technology | LDMOS (Laterally Diffused MOS), Airfast gen | Metal-Oxide Semiconductor (LDMOS) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40 C to +150 C | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel LDMOS, Enhancement Mode |
| Frequency Range | — | 2.496 GHz to 2.69 GHz |
| Average Output Power | — | 9 W |
| Test Voltage | — | 28 V |
| Test Current | — | 100 mA |
| Power Gain | — | 14.2 dB |
| Maximum Operating Temperature | — | 150 °C |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 °C |
| Number of Elements | — | 1 |
| پیکیج | — | NI-780S-4L4L-8 (ceramic, overmolded) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Supplier Device Package | — | NI-780S-4L4L-8 |