AFT26HW050GSR3 vs AFT26H050W26SR3 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של AFT26HW050GSR3 מאת NXP Semiconductors ו AFT26H050W26SR3 מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
NXP Semiconductors
AFT26HW050GSR3 - 9W RF Power LDMOS 2.5-2.7GHz Doherty | NXP
AFT26HW050GSR3 ✓ פעילNXP Semiconductors
AFT26H050W26SR3 - 9W RF LDMOS Transistor 2.5-2.7 GHz | NXP
AFT26H050W26SR3 Obsoleteהשוואת מפרטים
| פרמטר | AFT26HW050GSR3 | AFT26H050W26SR3 |
|---|---|---|
| מותג | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | Obsolete |
| Part Number | AFT26HW050GSR3 | — |
| Manufacturer | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Device Type | RF Power MOSFET (LDMOS), N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Family | Airfast RF Power | — |
| מארז / Case | NI-780GS-4L4L (9-pin, ceramic) | — |
| סוג הרכבה | Chassis Mount (bolt-down, flange) | Surface Mount / chassis-mount screw flange |
| Operating Frequency | 2496 MHz to 2690 MHz | — |
| Typical Drain-Source Voltage (Vds) | 28 V | — |
| Maximum Drain-Source Voltage | 65 V | 65 V |
| Output Power (P1dB / Avg) | 9 W average (Doherty) | — |
| Power Gain (Gp) | 14.2 dB at 2.69 GHz | — |
| Test Condition Gain | 14.2 dB @ 2.69 GHz | — |
| Test Condition Frequency | 2.496 GHz to 2.69 GHz | — |
| Quiescent Current (Iq) | 100 mA | — |
| Configuration | Single transistor, internally input-matched | Single, Asymmetrical Doherty |
| Architecture | Asymmetric Doherty (paired carrier/peaking) | — |
| Technology | LDMOS (Laterally Diffused MOS), Airfast gen | Metal-Oxide Semiconductor (LDMOS) |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| טמפרטורת פעולה | -40 C to +150 C | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel LDMOS, Enhancement Mode |
| Frequency Range | — | 2.496 GHz to 2.69 GHz |
| Average Output Power | — | 9 W |
| Test Voltage | — | 28 V |
| Test Current | — | 100 mA |
| Power Gain | — | 14.2 dB |
| Maximum Operating Temperature | — | 150 °C |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 °C |
| Number of Elements | — | 1 |
| מארז | — | NI-780S-4L4L-8 (ceramic, overmolded) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Supplier Device Package | — | NI-780S-4L4L-8 |