BSC005N03LS5IATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC005N03LS5IATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC12DN20NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC005N03LS5IATMA1 BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC005N03LS5IATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC005N03LS5IATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 42 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 433 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 2 V (typ) at VGS = 10 mA —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 188 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-5
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
RoHS اسٹیٹس Compliant (per LCSC listing) Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Family — OptiMOS 200V
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 11.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold typical]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Configuration — Single N-channel
پن کی تعداد — 8

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں