BSC014N04LS vs BSC014N04LSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC014N04LS بذریعہ Infineon اور BSC014N04LSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC014N04LS | BSC014N04LSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | N-channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) |
| VDS Max | 40 V | — |
| RDS(on) Max | 1.4 mOhm | — |
| ID Max | 198 A | — |
| پیکیج | SuperSO8 5x6 (TDSON-8FL) | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55C to +150C | — |
| Configuration | Single MOSFET | — |
| Absolute Max Rating Condition | TC = 25C, de-rating required above | — |
| Thermal Test Condition | 40 mm x 40 mm x 1.5 mm FR4, 6 cm2 70 um copper drain area | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| VGS Max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation | [DATA_NEEDED: power dissipation] | — |
| Thermal Resistance RthJC | [DATA_NEEDED: thermal resistance] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 2.5 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +150 C |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Tradename | — | OptiMOS |