BSC034N06NSATMA1 vs BSC0911NDATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC034N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0911NDATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC034N06NSATMA1 | BSC0911NDATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 30 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 74 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS trench MOSFET |
| پیکیج | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Configuration | — | Dual N-Channel (2 N-CH) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 18 A |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55C to +150C (junction) |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |