BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC042NE7NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC077N12NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC042NE7NS3GATMA1 | BSC077N12NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) |
| Technology | OptiMOS 3 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | 13.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 98 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | 139 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Part Family | — | OptiMOS 3 (120 V) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| Automotive Grade | — | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) |