BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC052N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC059N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 - 40V 73A 5.9mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC059N04LSGATMA1 - 40V 73A 5.9mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC059N04LSGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC052N08NS5ATMA1 BSC059N04LSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 73 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 16 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mOhm
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.0 V (typ)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C
REACH Status — Compliant
Channel Type — N-Channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں