BSC0901NSIATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC0901NSIATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUZ18N10S5L420ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC0901NSIATMA1 | IAUZ18N10S5L420ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5 trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 28 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 2.0 mOhm typical | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.2 V max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge nC] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 69 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad) | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| MSL لیول | 1 | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 100V |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V to 2.7 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | — | 8.5 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Configuration | — | Single with built-in diode |