BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC118N10NSGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC100N10NSFGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC118N10NSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC100N10NSFGATMA1 | BSC118N10NSGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | 11.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | 90 A | — |
| Power Dissipation (PD), Tc | 156 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 10 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (for rated RDS(on)) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 2 |
| Mode | — | Enhancement (Normal Level) |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 11 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 71 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 114 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +150 C |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| JEDEC Qualification | — | Qualified per target application |
| Target Application | — | High-frequency SMPS, synchronous rectification |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | — | Excellent (per datasheet) |